Pii amorphous fasciculus semiconductor directus est, cum dilatatione radiorum lucis et crassitudine tenui requisita. Ergo amorphous pii tenuis pelliculae solaris tenuissimas fieri potest. Tota crassitudo pelliculae levis absorptionis circa 1 micron est, et amorphosi Pii pauciores materias crudas consumit. parvo pretio ac meliore mercatu foventur.

Humile pretium relucet in eo quod silicon materiale minus materiale utitur et plene lucem haurire potest. Unius crystallus 200μ crassus debet esse, et amorphous silicon 1μ crassus debet esse (pii magnae lucis effusio coefficientem habet).

Secundum est quod materia rudis principalis silane adhibetur in productione polysilicon puritatis. Gas hic in magna quantitate ab industria chemica suppleri potest et valde vilis est. Materia rudis ad fabricandum unum-watt amorphos siliconis tabulae solaris fere RMB3.5-4 constat (efficientia altior quam 6%).

In basic crassitudine mono tabulata solaris est 240-270um, differentia plusquam 200 temporum. Magna scala productio requirit maximum numerum graduum semiconductoris. Sumptus laganae Pii solius 65-70% sumptus totius cellae solaris computat. In Sinis, 1 watt of crystallini Pii Sumptus materiae siliconis pro cellulis solaris plus quam RMB22 orta est.

Quia nucleus processus aptus est ad productionem a-Si cinematographicam cum amplissimis locis sine defectibus structuralibus; in PN commissura et structura laminate respondente nonnisi per conversionem gasi phase compositionis vel fluxus gasi cognosci potest; quod productum potest plene automated.

Praeterea membranae tenues a-Si cellulae solares facile sunt integrandae, et vis fabrica, outputa voltage, et output vena libere designari et fabricari possunt, quae facile varietates productorum ad diversas necessitates aptas producere possunt.