Ut amplio efficientiam solaris tabulata , necesse est Uoc circuitu apertam intentionem, brevem currentis ISC ambitum augere, factorem replere FF. Haec tria saepe mutuo coercentur. Si altera earum augetur unilaterali, potest alterum minuere, ut non augeatur sed minuatur altiore efficientia. Considerandum ergo est quando materias eligentes et processus designantes, et trium factorum causas augere contendant.

Apertus circuitio voltage UOC cum incremento energiae longitudinis Eg crescit, at contra, brevis ambitus densitatis currentis decrescit cum augmento energiae longitudinis Eg. Quam ob rem exspectari potest apicem efficientiae cellulae solaris accidere apud quendam Eg. Summa efficientia expectatur utendo materiae cum Eg valoribus inter 1.2 et 1.6 eV ad cellulas solares faciendas. Bandgap directae semiconductores potiores sunt gravida velum tenuissimum quia photons circa superficiem hauriunt.

Longitudo photons diffusio leviter augetur cum augmento temperaturae, ergo vena photographica generata cum augmento caliditatis augetur, sed UOC cum augmento caliditatis acriter decrescit. Saturitas factor decrescit, conversio efficientia decrescit cum caliditate crescens. Crescente irradiatione, brevis circumitus vena linealiter augetur, et potestas maxima continue crescit. Lucem solis in cellula solari positam permittit parvam cellulam solarem ad magnam vim electricitatis generandam. Alius factor qui notabilem ictum in UOC habet est defectus semiconductoris doping. UOC altior doping intentio, superior UOC. Attamen, cum immunditia concentratio in siliconis altior est quam 1018/cm3, alta doping vocatur. Cohors interstitium DECREMENTUM per altos doping causatur, immunditia non potest plene ionizari et vita minoritatis baiulantium reducitur, etc., collective vocantur effectus doping alta, et etiam de vitando tractari debent.