Hactenus; monocrystalline pii tabulae solaris celeriter effectae sunt in utraque investigatione et industrializatione.

Inter plures factores, qui C-Si cellas afficiunt, emendatio qualitas laganae siliconis facit molem recombinationem minorem et minorem, et progressio novarum stratorum passivationis et earum technologiae praeparatio superficiem recombinationem valde minuit. Inter eos, recombinatio metalli electrodis et contactus C-Si fit praecipuus factor qui efficientiam cellam afficit et censetur ultimus factor limitandi prope modum efficientiae theoreticae. Ut recombinationem reducere ad contactum punctum inter metallum et C-Si, ex una parte, area directus contactus inter metallum et C-Si reducatur per foramina partim foramina a tergo cellae (inclusa PERC, PERL; et Pert, etc.). Etsi efficientia conversio est vel prope 25%, adhuc directus contactus est inter metallum et C-Si in his cellulis, processus aperturae posterioris multiplex est, et materiam siliconis in apertione laedat.

Praeterea ars localis aperiens tabellarios facit non solum de via migrationis perpendicularis ad contactum superficiei deflectere, sed etiam ad foramen coarctari, quod ad saturitatem factoris detrimentum ducit. Ex altera parte, novae technae contactu elaborandae sunt quae tam excellentem superficiem passivam et separationem et onerarias tabellarum consequi possunt sine aperitionum necessitate, i.e., notorum tabellariorum selectivae passionis. Haec solutio percipere potest passivationem totius superficiei lagani pii (inclusa area contactus et area non-contactus), et hoc tempore vehicula una dimensiva sunt inter electrodes ad utrumque finem, quod utile est. altiorem factorem satietas obtineat ac deinde eius conversionem efficientiam meliorem efficiat.